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5574201Immagine 2N6052.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6052

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6052
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N6052.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 120mA, 12A
  • Tipo transistor
    PNP - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-204 (TO-3)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150W
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    TO-204AA, TO-3
  • Altri nomi
    2N6052OS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    750 @ 6A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A
  • Numero di parte base
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