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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N6609
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1649730Immagine 2N6609.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N6609

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6609
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 140V 16A TO-204
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N6609.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    140V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    4V @ 3.2A, 16A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-204 (TO-3)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150W
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    TO-204AA, TO-3
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 16A 150W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    15 @ 8A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    16A
  • Numero di parte base
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