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2N7000-D74Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7000-D74Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N7000-D74Z.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    400mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Altri nomi
    2N7000-D74ZTB
    2N7000_D74Z
    2N7000_D74Z-ND
    2N7000_D74ZFSTB
    2N7000_D74ZFSTB-ND
    2N7000_D74ZTB
    2N7000_D74ZTB-ND
    2N7000D74Z
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)
  • Numero di parte base
    2N7000

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