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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA2205-E

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Immagine 2SA2205-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SA2205-E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SA2205-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 100V 2A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SA2205-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

240mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

TP
Serie

-
Potenza - Max

800mW
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

300MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 300MHz 800mW Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

2A

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