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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SA2169-E
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6668737Immagine 2SA2169-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SA2169-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SA2169-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 50V 10A TP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SA2169-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    580mV @ 250mA, 5A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    950mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    2SA2169-E-ND
    2SA2169-EOS
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    130MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 10A 130MHz 950mW Through Hole TP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A

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Pagamento
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