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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > 2SC5227A-4-TB-E
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4734756Immagine 2SC5227A-4-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC5227A-4-TB-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC5227A-4-TB-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    10V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-CP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    2SC5227A-4-TB-EOSDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    1dB @ 1GHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    12dB
  • Frequenza - transizione
    7GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-CP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    90 @ 20mA, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    70mA

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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