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5151850Immagine 2SC5566-TD-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5566-TD-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC5566-TD-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 4A SOT89-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC5566-TD-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    225mV @ 100mA, 2A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PCP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.3W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2SC5566-TD-EOSCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    400MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 4A 400MHz 1.3W Surface Mount PCP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    4A

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