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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC5706-E

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Immagine 2SC5706-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5706-E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SC5706-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 50V 5A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SC5706-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

240mV @ 100mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TP
Serie

-
Potenza - Max

800mW
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

2SC5706-E-ND
2SC5706-EOS
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

400MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

5A
Numero di parte base

2SC5706

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