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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC5659T2LN

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Immagine 2SC5659T2LN.

LAPIS Semiconductor

2SC5659T2LN

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Specifiche

Modello di prodotti

2SC5659T2LN
Costruttore / Marca

LAPIS Technology
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 25V 0.05A VMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SC5659T2LN.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

25V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

VMT3
Serie

-
Potenza - Max

150mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

SOT-723
Altri nomi

2SC5659T2LNTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

300MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 300MHz 150mW Surface Mount VMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 1mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max)

500nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

50mA
Numero di parte base

2SC5659

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