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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC6099-E
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1756082Immagine 2SC6099-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC6099-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SC6099-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 100V 2A TP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SC6099-E.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    165mV @ 100mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    300MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 300MHz 800mW Through Hole TP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    300 @ 100mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A

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