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Immagine 2SD1628G-TD-E.

ON Semiconductor

2SD1628G-TD-E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SD1628G-TD-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 20V 5A SOT89-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SD1628G-TD-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

5A
Tensione - Ripartizione

PCP
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

20V
Serie

-
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Resistenza - Base (R1) (ohm)

120MHz
Potenza - Max

500mW
Polarizzazione

TO-243AA
Altri nomi

2SD1628G-TD-EOSCT
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
codice articolo del costruttore

2SD1628G-TD-E
Frequenza - transizione

120 @ 500mA, 2V
Descrizione espansione

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 500mW Surface Mount PCP
Descrizione

TRANS NPN 20V 5A SOT89-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100nA (ICBO)
Corrente - Cutoff collettore (max)

500mV @ 60mA, 3A
Corrente - collettore (Ic) (max)

NPN

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