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Immagine 2SD1805G-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SD1805G-E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SD1805G-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 20V 5A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SD1805G-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

500mV @ 60mA, 3A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TP
Serie

-
Potenza - Max

1W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

120MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 120MHz 1W Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

280 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

5A
Numero di parte base

2SD1805

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