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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD1816T-E

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Immagine 2SD1816T-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SD1816T-E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SD1816T-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 100V 4A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SD1816T-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

TP
Serie

-
Potenza - Max

1W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi

2SD1816T-E-ND
2SD1816T-EOS
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

180MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

4A
Numero di parte base

2SD1816

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