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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2SK3816-DL-1E

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Immagine 2SK3816-DL-1E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

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Specifiche

Modello di prodotti

2SK3816-DL-1E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 40A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

2SK3816-DL-1E.pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263-2
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.65W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 40A (Ta) 1.65W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

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