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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 3LN01S-TL-E
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1055771Immagine 3LN01S-TL-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01S-TL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    3LN01S-TL-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    3LN01S-TL-E.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMCP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    3LN01S-TL-EOSCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SMCP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 150V D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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