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6654734Immagine 3SK263-5-TG-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3SK263-5-TG-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    3SK263-5-TG-E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    FET RF 15V 200MHZ CP4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    3SK263-5-TG-E.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Prova
    6V
  • Tensione - nominale
    15V
  • Tipo transistor
    N-Channel Dual Gate
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-CP
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-253-4, TO-253AA
  • Altri nomi
    3SK263-5-TG-E-ND
    3SK263-5-TG-EOSTR
  • Figura di rumore
    2.2dB
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    21dB
  • Frequenza
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP
  • Valutazione attuale
    30mA
  • Corrente - Test
    10mA

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