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Casa > Centro di prodotti > Isolatori > Optoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaica > 4N35W
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5328527Immagine 4N35W.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

4N35W

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    4N35W
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    4N35W.pdf
  • Tensione - uscita (max)
    30V
  • Tensione - Isolamento
    5300Vrms
  • Tensione - Forward (Vf) (Typ)
    1.18V
  • Vce saturazione (max)
    300mV
  • Accensione / spegnimento (Typ)
    2µs, 2µs
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Tempo di salita / scadenza (Typ)
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Tipo di uscita
    Transistor with Base
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 100°C
  • Numero di canali
    1
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    DC
  • Descrizione dettagliata
    Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Rapporto trasferimento corrente (min)
    100% @ 10mA
  • Rapporto trasferimento corrente (max)
    -
  • Corrente - Uscita / Canale
    -
  • Corrente - DC Forward (If) (Max)
    100mA
  • Numero di parte base
    4N35

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Descrizione: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

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