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39861Immagine BBL4001-1E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BBL4001-1E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BBL4001-1E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 74A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BBL4001-1E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.1 mOhm @ 37A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 35W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    BBL4001-1E-ND
    BBL4001-1EOS
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6900pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    135nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 74A (Ta) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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