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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > BC856BDW1T3G
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2722639Immagine BC856BDW1T3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BC856BDW1T3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BC856BDW1T3G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BC856BDW1T3G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    65V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo transistor
    2 PNP (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    380mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    BC856BDW1T3GOSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    220 @ 2mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    15nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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