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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > BC857BLT1G
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362634Immagine BC857BLT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BC857BLT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BC857BLT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BC857BLT1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    45V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    BC857BLT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    36 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    220 @ 2mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    15nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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