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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > BC857BLP4-7B
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1216089Immagine BC857BLP4-7B.Diodes Incorporated

BC857BLP4-7B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BC857BLP4-7B
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BC857BLP4-7B.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    45V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    650mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X2-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-XFDFN
  • Altri nomi
    BC857BLP4-7BDICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    220 @ 2mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    15nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    BC857BLP

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