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413561Immagine BD159STU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD159STU

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BD159STU
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 0.5A TO-126
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BD159STU.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    -
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-126
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    20W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-225AA, TO-126-3
  • Altri nomi
    BD159STU-ND
    BD159STUFS
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-126
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    BD159

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