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5525779Immagine BD809G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD809G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BD809G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BD809G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.1V @ 300mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    90W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    BD809G-ND
    BD809GOS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    2 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    1.5MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    15 @ 4A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A

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