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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > BF240_J35Z
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BF240_J35Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BF240_J35Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF NPN 40V 50MA TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • temperatura di esercizio
    -
  • Di rumore (dB tip @ f)
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    -
  • Frequenza - transizione
    1.1GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 40V 50mA 1.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    65 @ 1mA, 10V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50mA
  • Numero di parte base
    BF240

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