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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BMS4007-1E
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1885945Immagine BMS4007-1E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BMS4007-1E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BMS4007-1E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BMS4007-1E.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220ML
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.8 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 30W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9700pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    75V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 75V 60A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-220ML
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23

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