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BS107ARL1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BS107ARL1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BS107ARL1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

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