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2207955Immagine BSP19AT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BSP19AT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSP19AT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSP19AT1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 4mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    BSP19AT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    70MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 20mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    20nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    BSP19

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