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6026392Immagine BUB323ZT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUB323ZT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUB323ZT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUB323ZT4G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.7V @ 250mA, 10A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    150W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    BUB323ZT4GOS
    BUB323ZT4GOS-ND
    BUB323ZT4GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    2MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    500 @ 5A, 4.6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A
  • Numero di parte base
    BUB323

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Spedizione
Pagamento
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