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5100723Immagine BUH50G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUH50G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUH50G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 500V 4A TO-220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUH50G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    500V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 1A, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • Potenza - Max
    50W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    BUH50G-ND
    BUH50GOS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    4MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 500V 4A 4MHz 50W Through Hole TO-220AB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    5 @ 2A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    4A

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