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6946695Immagine BVSS123LT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BVSS123LT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BVSS123LT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    225mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

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