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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CPH3356-TL-W

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Immagine CPH3356-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH3356-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

CPH3356-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

CPH3356-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

3-CPH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

137 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

CPH3356-TL-WOSDKR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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