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Immagine CPH3362-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

CPH3362-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

CPH3362-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

CPH3362-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

3-CPH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1.7 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

CPH3362-TL-W-ND
CPH3362-TL-WOSTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

5 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

142pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

P-Channel 100V 700mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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