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825282Immagine DLE30E.ON Semiconductor

DLE30E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DLE30E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DLE30E.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    3A
  • Tensione - Ripartizione
    Axial
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    DO-201AD, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    30ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    DLE30E
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial
  • Configurazione diodo
    20µA @ 400V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.25V @ 1A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    400V
  • Capacità a Vr, F
    150°C (Max)

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