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5802515Immagine DLN10C-AT1.ON Semiconductor

DLN10C-AT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DLN10C-AT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DLN10C-AT1.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Tensione - Ripartizione
    -
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    R-1 (Axial)
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    35ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    DLN10C-AT1
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Configurazione diodo
    10µA @ 200V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    980mV @ 1A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200V
  • Capacità a Vr, F
    150°C (Max)

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: ON Semiconductor
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: COMMON MODE CHOKE 1A 2LN TH

Produttori: Schurter
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
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