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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DTA114YET1
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3497667Immagine DTA114YET1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTA114YET1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DTA114YET1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    DTA114YET1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-75, SOT-416
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-75, SOT-416
  • Altri nomi
    DTA114YET1OS
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    DTA114

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

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