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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > EC3A03B-TL-H
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EC3A03B-TL-H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EC3A03B-TL-H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    EC3A03B-TL-H.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    1.5V @ 1µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-ECSP1006
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-XFDFN
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1.7pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    JFET N-Channel 1mA 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
  • Scolo corrente (Id) - Max
    1mA
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    50µA @ 20V

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