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5917009Immagine ECH8308-TL-H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8308-TL-H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ECH8308-TL-H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ECH8308-TL-H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-ECH
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.6W (Ta)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    ECH8308-TL-HOSDKR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    15 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2300pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 12V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-ECH
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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