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ECH8601M-TL-H-P

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Specifiche

Modello di prodotti

ECH8601M-TL-H-P
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ECH8601M-TL-H-P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.3V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

8-ECH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

23 mOhm @ 4A, 4.5V
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss)

24V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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