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Immagine ECH8619-TL-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8619-TL-E

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Specifiche

Modello di prodotti

ECH8619-TL-E
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ECH8619-TL-E.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

-
Contenitore dispositivo fornitore

8-ECH
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

93 mOhm @ 1.5A, 10V
Potenza - Max

1.5W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

869-1156-2
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12.8nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2A
Numero di parte base

ECH8619

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