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Immagine ECH8695R-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8695R-TL-W

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Specifiche

Modello di prodotti

ECH8695R-TL-W
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

ECH8695R-TL-W.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1.3V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-28FL/ECH8
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

9.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Potenza - Max

1.4W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

ECH8695R-TL-WOSTR
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss)

24V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11A

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