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EFC4C012NLTDG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EFC4C012NLTDG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    EFC4C012NLTDG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-WLCSP (3.5x1.9)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    2.5W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-SMD, No Lead
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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