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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EMH2411R-TL-H
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3551900Immagine EMH2411R-TL-H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMH2411R-TL-H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    EMH2411R-TL-H
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    EMH2411R-TL-H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-EMH
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    36.5 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.4W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.9nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 5A 1.4W Surface Mount 8-EMH
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: AC/DC CONVERTER 12V 250W

Produttori: XP Power
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