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3517164Immagine FCA20N60.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCA20N60

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCA20N60
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCA20N60.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PN
  • Serie
    SuperFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    208W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Altri nomi
    FCA20N60_NL
    FCA20N60_NL-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)
  • Numero di parte base
    FCA20N60

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

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