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6284843Immagine FCH023N65S3-F155.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH023N65S3-F155

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCH023N65S3-F155
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 75A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCH023N65S3-F155.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 7.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 Long Leads
  • Serie
    SuperFET® III
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    23 mOhm @ 37.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    595W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    FCH023N65S3_F155
    FCH023N65S3_F155-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7160pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    222nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Super Junction
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

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In magazzino
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N CH 600V 76A TO247

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Descrizione: MOSFET N CH 600V 77A TO-247

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 54A TO247

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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