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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FCH110N65F-F155
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1280865Immagine FCH110N65F-F155.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH110N65F-F155

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCH110N65F-F155
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCH110N65F-F155.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 3.5mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 Long Leads
  • Serie
    FRFET®, SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    357W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    FCH110N65F_F155
    FCH110N65F_F155-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4895pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

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