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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FCH165N60E
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6810780Immagine FCH165N60E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH165N60E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCH165N60E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 23A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCH165N60E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    227W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2434pF @ 380V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

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Descrizione: SUPERFET3 650V TO247 PKG

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 37A TO-247

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