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FCP125N65S3R0

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCP125N65S3R0
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SUPERFET3 650V TO220 PKG
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FCP125N65S3R0.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 2.4mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220-3
  • Serie
    SuperFET® III
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    125 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    181W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    FCP125N65S3R0-ND
    FCP125N65S3R0OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Not Applicable
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1940pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

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