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5478120Immagine FCPF190N65FL1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF190N65FL1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCPF190N65FL1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCPF190N65FL1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    39W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    52 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3055pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20.6A (Tc)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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