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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FCPF190N60-F152

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Immagine FCPF190N60-F152.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF190N60-F152

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Specifiche

Modello di prodotti

FCPF190N60-F152
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

FCPF190N60-F152.pdf
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220F-3
Serie

SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs

199 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3 Full Pack
Altri nomi

FCPF190N60_F152
FCPF190N60_F152-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

52 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 20.2A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20.2A (Tc)

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Metodi di pagamento

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