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6186129Immagine FCPF260N60E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCPF260N60E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCPF260N60E
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCPF260N60E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F-3
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    260 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    36W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    52 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 15A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: SUPERFET3 650V TO220F PKG

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